>Оперативная память

У міру того як зростає популярність платформ для додатків на базі штучного інтелекту, виникають різноманітні питання, пов'язані з нарощуванням їхньої продуктивності. І зокрема, як на неї впливає використання CXL.

Компанія SK hynix офіційно повідомила про початок серійного виробництва HBM3E, новітнього типу пам'яті. Замовники почнуть отримувати чипи вже з кінця березня.

Орган стандартизації JEDEC Solid State Technology Association повідомив про публікацію стандарту JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM, який доступний для безоплатного завантаження з сайту JEDEC.

За повідомленням порталу ZD Net Korea, SK Hynix планує публічно продемонструвати 16-шаровий продукт HBM3E об'ємом 48 ГБ на Міжнародній конференції з твердотілих схем 2024 року (ISSCC 2024), який може забезпечити швидкість одного стека до 1280 ГБ/с.

Очікується, що завдяки 2048-бітному інтерфейсу пам'ять HBM4 значно збільшить пікову пропускну здатність, що буде дуже корисно для вимогливих до пропускної спроможності процесорів штучного інтелекту (AI) і високопродуктивних обчислень (HPC).

 

Samsung Electronics повідомила про плани продемонструвати на виставці IEEE-SSCC 2024 нову 280-шарову флешпам'ять 3D QLC NAND щільністю 1 Тб, яка дасть змогу створити нове покоління масових SSD і накопичувачів для смартфонів. Цей чіп забезпечує щільність запису 28,5 Гб/мм² і швидкість 3,2 Гб/с.