Samsung Electronics повідомила про плани продемонструвати на виставці IEEE-SSCC 2024 нову 280-шарову флешпам'ять 3D QLC NAND щільністю 1 Тб, яка дасть змогу створити нове покоління масових SSD і накопичувачів для смартфонів. Цей чіп забезпечує щільність запису 28,5 Гб/мм² і швидкість 3,2 Гб/с.
Компанія SK hynix оголосила про початок поставок своїм клієнтам 16-гігабайтних пакетів пам'яті Low Power Double Data Rate 5 Turbo (LPDDR5T) - найшвидшої на сьогоднішній день мобільної DRAM-пам'яті, яка може передавати дані зі швидкістю 9,6 Гбіт/с.
На конференції Memory Tech Day, організованій Samsung Electronics, компанія поділилася інформацією про такі новинки, як HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 і Detachable AutoSSD.
Популярність додатків категорії AI, що стрімко зростає, які пред'являють високі вимоги до швидкості обробки великих обсягів даних, залучає розробників до впровадження в обчислювальні платформи нових технологій.
