Samsung Electronics повідомила про плани продемонструвати на виставці IEEE-SSCC 2024 нову 280-шарову флешпам'ять 3D QLC NAND щільністю 1 Тб, яка дасть змогу створити нове покоління масових SSD і накопичувачів для смартфонів. Цей чіп забезпечує щільність запису 28,5 Гб/мм² і швидкість 3,2 Гб/с. Для порівняння, найшвидші типи флешпам'яті 3D NAND, якими оснащуються сучасні флагманські SSD NVMe, працюють на швидкості 2,4 ГБ/с.
Повідомляється також про плани продемонструвати чіп пам'яті DDR5 нового покоління, що забезпечує швидкість передачі даних DDR5-8000 при щільності 32 Гбіт (4 ГБ). Цей чіп використовує симетрично-мозаїчну архітектуру комірок DRAM і побудований на технологічному вузлі 5-го покоління класу 10 нм, оптимізованому Samsung для продуктів DRAM. Особливістю цього рішення є те, що воно дасть змогу виробникам пам'яті для ПК створювати модулі DIMM об'ємом 32 і 48 ГБ в одноранговій конфігурації зі швидкістю DDR5-8000, а також модулі DIMM об'ємом 64 і 96 ГБ у дворанговій конфігурації.
Комп’ютерний розум: генеративний штучний інтелект у рішеннях AWS
| 0 |
|
