>Флэш-накопители

Згідно з новим дослідженням від Samsung Advanced Institute of Technology, створення NAND з фероелектричними транзисторами може значно знизити енергоспоживання, обходячи основне обмеження звичайної NAND. Компанія заявляє, що нарешті розв'язала давні проблеми зі збільшенням місткості та вікнами пам'яті, які підривали попередні спроби.

Програму Міжнародної конференції з твердотільних схем (ISSCC) 2026 року вже визначено. В області флешпам'яті NAND партнери Kioxia та SanDisk прагнуть значно підвищити планку щільності запису. Очікується, що майбутня пам'ять QLC NAND досягне 37,6 Гбіт/мм2, або 4,7 ГБ на мм2.

Потреби в обробці величезного обсягу даних на високих швидкостях стали ще більш відчутними з поширенням великих мовних моделей для платформ AI. Відповіддю на цей виклик стала розробка Kioxia – модуль флешпам'яті об'ємом 5 ТБ з підтримкою швидкості обміну 64 ГБ/с.