Samsung Electronics повідомила про плани продемонструвати на виставці IEEE-SSCC 2024 нову 280-шарову флешпам'ять 3D QLC NAND щільністю 1 Тб, яка дасть змогу створити нове покоління масових SSD і накопичувачів для смартфонів. Цей чіп забезпечує щільність запису 28,5 Гб/мм² і швидкість 3,2 Гб/с.
У пошуках нових технологій пам'яті дослідники зуміли домогтися перспективних результатів, які дають змогу говорити про появу нового класу пристроїв, що поєднують високу швидкість роботи DRAM і енергонезалежність NAND.
