Samsung першою в індустрії розпочала комерційні постачання пам'яті HBM4 для AI-обчислень

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва та відвантаження перших у світі комерційних партій пам'яті HBM4. Цим досягненням компанія закріпила за собою статус першопрохідця на ринку пам'яті наступного покоління для штучного інтелекту.

Для досягнення рекордної продуктивності Samsung використала свій найсучасніший техпроцес DRAM 6-го покоління класу 10 нм (1c). Це дозволило забезпечити стабільний вихід придатних чипів та високу ефективність безпосередньо з моменту запуску ліній.

Samsung HBM4 демонструє стабільну швидкість обробки даних на рівні 11,7 Гбіт/с, що на 46% перевищує галузевий стандарт (8 Гбіт/с). У порівнянні з попереднім поколінням HBM3E (9,6 Гбіт/с), швидкість зросла у 1,22 раза.

Серед ключових технічних переваг слід зазначити пропускну здатність, яка досягає 3,3 ТБ/с на один стек (у 2,7 раза більше, ніж у HBM3E).

При цьому кількість виводів (I/O) подвоїлася — з 1024 до 2048 контактів.

Наразі доступні версії на 24 ГБ та 36 ГБ (12-шарове стекування). У планах — 16-шарові чипи місткістю 48 ГБ.

Подвоєння кількості контактів зазвичай веде до перегріву, проте Samsung впровадила інноваційні рішення для живлення та терморегуляції.

Так ефективність зросла на 40% завдяки використанню низьковольтної технології TSV (черезкремнієвих перехідних отворів).

Тепловий опір знижено на 10%, а загальна здатність до розсіювання тепла покращилася на 30% порівняно з HBM3E.

«Замість того, щоб йти традиційним шляхом використання перевірених дизайнів, Samsung здійснила стрибок, застосувавши для HBM4 найсучасніші вузли: DRAM класу 1c та 4-нм логічний техпроцес», — заявив Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang), виконавчий віцепрезидент Samsung Electronics.

Samsung прогнозує, що обсяги продажів пам'яті HBM у 2026 році зростуть більш ніж утричі порівняно з 2025 роком. Компанія вже активно готує виробничі потужності для задоволення ажіотажного попиту з боку виробників GPU та гіперскейлерів (Amazon, Google, Meta).

Дорожня карта розвитку передбачає початок тестування зразків HBM4E у (другій половині 2026 року, а постачання перших зразків кастомної (Custom) HBM, розробленої під специфічні потреби замовників, заплановано на 2027 рік.

Тісна інтеграція між підрозділами Foundry (виробництво напівпровідників) та Memory дозволяє Samsung контролювати весь цикл створення продукту — від дизайну логічного шару до фінального пакування, що критично важливо для складних AI-систем.