Samsung приступает к массовому выпуску чипов по технологии 14 нм FinFET 2

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов с использованием 14-нанометровой технологий FinFET второго поколения (LPP).

Напомним, что в первом квартале 2015 года стартовало производство процессора Exynos 7 Octa, который стал первым продуктом производителя, выполненным по 14-нанометровой энергоэффективной (Low-Power Early, LPE) технологии. И на этот раз новый техпроцесс будет задействован для выпуска топового процессора компании Exynos 8 Octa. Анонсировано, что Samsung займется контрактным производством с использованием данного техпроцесса, а одним из первых таких решений уже в первой половине этого года станет процессор Qualcomm Snapdragon 820.

По оценке Samsung, второе поколение трехмерной (3D) FinFET структуры по сравнению с предыдущей 14-нанометровой LPE-технологией, позволяет увеличить производительность до 15% и на столько же снизить энергопотребления. Это достигнуто благодаря улучшениям в структуре транзистора и оптимизации процесса.

Samsung рассчитывает, что новая 14-нанометровая FinFET-технология найдет применение для выпуска широкого спектра процессоров.