>Оперативная память

ADATA Technology сообщает об официальном выпуске новой линейки бизнес-решений встраиваемой флеш-памяти eMMC. Данное устройство будет доступно емкостью 4 и 32 Гб в форм-факторе промышленного стандарта.

В стане IHS iSuppli пришли к выводу, что появление класса не требовательных к объему ОЗУ ультрабуков и развитие облачных сервисов приведут к замедлению роста объема DRAM в компьютерах.

Эксперты IHS iSuppli ожидают по итогам 2011 г. увеличение объема потребленной производителями смартфонов памяти DRAM не менее чем в три раза.

По замыслу инициаторов, новая технология уже в ближайшее время станет конкурентом памяти DDR3. А уже организованный Hybrid Memory Cube Consortium объединит производителей чипов и устройств на их базе.

По заявлению Elpida Memory, компания стала первой в индустрии, освоившей 25-нанометровый техпроцесс для выпуска 4-гигабитных чипов DDR3 SDRAM. По данным производителя, эти микросхемы стали самыми компактными в своем классе.

По заявлению Samsung Electronics, ею разработана первая в индустрии технология выпуска монолитных чипов емкостью 4 Гбит типа LPDDR3 (low power double-data-rate 3) с допуском 30 нм, которая найдет применение в таких мобильных устройствах, как смартфоны и планшеты.

На завершившейся на днях в Сан-Франциско конференции IDF Джастин Раттнер (Justin Rattner), главный технический директор корпорации Intel, рассказал о том, что корпорацией сделан значительный шаг на пути к будущему компьютерных технологий: много- и мультиядерные вычислительные устройства стали общедоступными и появляются новые разра

Компания Invensas, принадлежащая Tessera Technologies, анонсировала свою разработку — технологию multi-die face-down (xFD), которая позволяет собирать модули памяти в виде бутербродов из чипов DRAM. На грядущей конференции IDF, которая начнет свою работу на следующей неделе в Сан-Франциско (шт.

Неприятные для участников бизнеса DRAM тенденции высветили аналитики IHS iSuppli. По мнению авторов программы «DRAM Market Brief», средняя отпускная цена наиболее востребованной памяти DDR3 емкостью 2 Гб в третьей четверти 2011 г. упадет на 24% в квартальном сравнении и составит до 1,6 долл.

Пока речь идет лишь о тестовых инженерных образцах объемом 32 ГБ, но самым главным в новинке является использование так называемой трехмерной технологии расположения кремниевых элементов по принципу through silicon via (TSV).