|
СПЕЦІАЛЬНІ ПАРТНЕРИ ПРОЕКТУ BEST CIOОпределение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях Человек годаКто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка. Продукт годаНаграды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары |
>Оперативная памятьНовость Micron анонсирует модуль LRDIMM емкостью 64 Гб7 ноября 2011 г., 14:45Компания Micron продолжает расширять линейку модулей памяти DDR3 с уменьшенной нагрузкой на шину. В дополнение к выпущенным ранее образцам LRDIMM емкостью 8, 16 и 32 Гб, компания анонсировала чип памяти емкостью 64 Гб.
Запись в блоге Провалы памяти5 ноября 2011 г., 12:49Не без помощи оживающей после кризиса автомобильной промышленности, а также производителей портативных устройств в авангарде со смартфонами, эксперты Semiconductor Industry Association зафиксировали увеличение объема выручки мирового IC-рынка за период с июля п Новость ThinFilm и PARC продемонстрировали напечатанную CMOS-память1 ноября 2011 г., 16:54Норвежская компания ThinFilm Electronics ASA и Palo Alto Research Center (PARC) продемонстрировали совместно разработанную технологию печати энергонезависимой ферроэлектрической полимерной памяти, где цепи типа p и n были выполнены из органических материалов.
Новость ADATA ожидает рост спроса на приложения малых форм-факторов SFF21 октября 2011 г., 14:43ADATA Technology сообщает об официальном выпуске новой линейки бизнес-решений встраиваемой флеш-памяти eMMC. Данное устройство будет доступно емкостью 4 и 32 Гб в форм-факторе промышленного стандарта.
Новость Прогноз среднего объема ОЗУ компьютеров в 2011 г. сократили до 4 ГБ21 октября 2011 г., 11:25В стане IHS iSuppli пришли к выводу, что появление класса не требовательных к объему ОЗУ ультрабуков и развитие облачных сервисов приведут к замедлению роста объема DRAM в компьютерах.
Новость Cредний объем DRAM смартфонов в 2012 г. достигнет 715 Мб19 октября 2011 г., 12:35Эксперты IHS iSuppli ожидают по итогам 2011 г. увеличение объема потребленной производителями смартфонов памяти DRAM не менее чем в три раза.
Новость Samsung и Micron выступили с инициативой Hybrid Memory Cube7 октября 2011 г., 12:45По замыслу инициаторов, новая технология уже в ближайшее время станет конкурентом памяти DDR3. А уже организованный Hybrid Memory Cube Consortium объединит производителей чипов и устройств на их базе.
Новость Elpida освоила техпроцесс с допуском 25 нм для чипов DRAM 4 Гбит4 октября 2011 г., 15:04По заявлению Elpida Memory, компания стала первой в индустрии, освоившей 25-нанометровый техпроцесс для выпуска 4-гигабитных чипов DDR3 SDRAM. По данным производителя, эти микросхемы стали самыми компактными в своем классе.
Новость Samsung разработала 30-нанометровую память LPDDR3 DRAM4 октября 2011 г., 12:35По заявлению Samsung Electronics, ею разработана первая в индустрии технология выпуска монолитных чипов емкостью 4 Гбит типа LPDDR3 (low power double-data-rate 3) с допуском 30 нм, которая найдет применение в таких мобильных устройствах, как смартфоны и планшеты.
Новость Основные акценты перспективных исследований Intel – энергоэффективность и многоядерность19 сентября 2011 г., 13:05На завершившейся на днях в Сан-Франциско конференции IDF Джастин Раттнер (Justin Rattner), главный технический директор корпорации Intel, рассказал о том, что корпорацией сделан значительный шаг на пути к будущему компьютерных технологий: много- и мультиядерные вычислительные устройства стали общедоступными и появляются новые разра
|
Останні обговорення
ТОП-новини
ТОП-блогиТОП-статті
|
||
