| 0 |
|
У той час як штучний інтелект (AI) продовжує розвиватися, дослідники з POSTECH (Поханський університет науки та технологій) зробили прорив, який може зробити технології AI швидшими та ефективнішими.
Професор Сейонг Кім (Seyoung Kim) і доктор Хюнджонг Квак (Hyunjeong Kwak) з кафедр матеріалознавства та інженерії та напівпровідникової інженерії POSTECH у співпраці з доктором Окі Гунаван (Oki Gunawan) з Дослідницького центру IBM T.J. Watson стали першими, хто розкрив приховані механізми роботи електрохімічної пам'яті з довільним доступом (Electrochemical Random-Access Memory, ECRAM), перспективної технології наступного покоління для штучного інтелекту. Це новаторське дослідження було опубліковано в міжнародному журналі Nature Communications.
У міру розвитку технологій штучного інтелекту вимоги до обробки даних зростають у геометричній прогресії. Однак сучасні обчислювальні системи розділяють зберігання даних («пам'ять») та їхнє опрацювання («процесори»), що призводить до значних витрат часу та енергії на передачу даних між цими пристроями. Для розв'язання цієї проблеми дослідники розробили концепцію In-Memory Computing.
In-Memory Computing дає змогу виконувати обчислення безпосередньо в пам'яті, унеможливлюючи переміщення даних і забезпечуючи більш швидкі та ефективні операції. ECRAM - найважливіша технологія для реалізації цієї концепції. Пристрої ECRAM зберігають і обробляють інформацію за допомогою іонних рухів, забезпечуючи безперервне зберігання даних аналогового типу. Однак розуміння їхньої складної структури та високорезистивних оксидних матеріалів залишається складним завданням, що суттєво перешкоджає комерціалізації.
Для розв'язання цієї проблеми дослідницька група розробила багатотермінальний структурований пристрій ECRAM на основі оксиду вольфраму і застосувала «Паралельну дипольну лінію системи Холла», що дає змогу спостерігати внутрішню динаміку електронів від наднизьких температур (-223°C) до кімнатної температури. Уперше було помічено, що кисневі вакансії всередині ECRAM створюють неглибокі донорні стани (~0,1 еВ), ефективно формуючи «короткі шляхи», якими вільно переміщаються електрони. Замість того щоб просто збільшувати кількість електронів, ECRAM за своєю суттю створює середовище, що полегшує перенесення електронів. Важливо, що цей механізм залишався стабільним навіть за дуже низьких температур, демонструючи міцність і довговічність пристрою ECRAM.
Професор Сейонг Кім зазначив: "Це дослідження має велике значення, оскільки воно експериментально прояснило механізм перемикання ECRAM за різних температур. Комерціалізація цієї технології може призвести до прискорення роботи штучного інтелекту і збільшення терміну служби батарей у таких пристроях, як смартфони, планшети і ноутбуки".
Роботу виконано за підтримки K-CHIPS (Korea Collaborative & High-tech Initiative for Prospective Semiconductor Research), що фінансується Міністерством торгівлі, промисловості та енергетики Кореї (MOTIE).
Kingston повертається у «вищу лігу» серверних NVMe SSD
| 0 |
|
