Компанія SK Hynix оголосила про плани продемонструвати на майбутній виставці CES 2023 свою новітню розробку - PS1010 E3.S, eSSD, що базується на 176-шаровий 4D NAND.
Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва енергонезалежної пам'яті Vertical NAND (V-NAND) восьмого покоління на базі 1-терабітних (Тб) трирівневих комірок (TLC) з найвищою в галузі бітовою щільністю.
Інтенсивні пересилання даних із системи зберігання в оперативну пам'ять та назад, що виникають у додатках штучного інтелекту, можуть бути виключені завдяки технології Compute-in-NAND.
