>Флэш-карты

Компания Delkin Devices анонсировала защищенные карты памяти типа Compact Flash серии CombatFlash685. В серии доступны модели емкостью от 8 до 64 ГБ с индексом производительности 685X, что соответствует скорости 103 МБ/с.

Производитель объявил о выпуске первого в индустрии чипа флэш-памяти типа NOR объемом 4 Гбит на базе технологии с допуском 65 нм, который вошел в его семейство GL-S.

Компания Apacer объявила сегодня о запуске новой индустриальной SD карты, разработанной для встраиваемых систем, которые предназначены для эксплуатации в суровых условиях. Новая индустриальная SD карта отличается повышенной надежностью, значительной емкостью и устойчивостью в расширенном диапазоне температур.

Производитель анонсировал производство высокоскоростных карт памяти типа microSD, которые отвечают требованиям по производительности, предъявляемым при работе с контентом в мобильных сетях четвертого поколения.

Компания Verbatim представила новые карты памяти типов SDHC (Secure Digital High Capacity) и Micro SDHC class 10 емкостью от 4 до 32 Гб. В них гарантирована скорость передачи данных в 10 Мбит/с, а при видеозаписи на карту емкостью 32 Гб поместится до 16 часов.

Производитель заявил о том, что продемонстрированный им на выставке Computex 2011 2,5-дюймовый SSD-накопитель P6000 с интерфейсом SATA 3 является самым быстрым в мире, так как обеспечивают скорость передачи до 550 МБ/с.

Kingmax анонсировала первую карту micro SD рекордной емкости в 64 ГБ. Новинка поддерживает последнюю спецификацию SD 3.0 и высокостной протокол передачи данных Class 6. Она также сохранила совместимость со спецификацией SD 2.0.

Компания заявила, что стала первой в мире, выпустившей карту памяти SDXC Class 10 объемом 64 ГБ. Она сочетает в себе устойчивость к воздействию неблагоприятных природных условий (вода и пыль) и поддержку высокой скорости работы.

По данным агентства Синьхуа, Институт микросистем и информационных технологий в Шанхае и Китайская академия наук совместно с производителем микроэлектроники SMIC и компанией Microchip Technology разработали память на эффекте фазового изменения состояния (phase-change random access memory, PCRAM) с использованием лишь китайской интеллектуальной соб

Примерно через неделю после того, как СП Intel и Micron объявило о начале производства NAND с допуском 20 нм, второй крупный игрок в этом же направлении сместил его с места технологического лидера.