| +22 голоса |
|
На форуме International Solid-State Circuits Conference 2012 компания Samsung намерена снова инициировать вопрос о коммерческих перспективах элементов памяти на фазовых переходах, и представить 8-гигабитный элемент памяти, произведенный по 20-нм техпроцессу.
Современные твердотельные диски традиционно изготавливают на основе флэш-памяти, недостаточно быстрой для хранения и анализа научных данных, поиска по специальным алгоритмам, пр. Память на основе фазовых переходов (phase-change memory, PCM) для хранения данных использует частицы халькогенида, которые, под действием высокой температуры, получаемой при пропускании электротока, переводятся то в кристаллическое, то в аморфное состояние. Для чтения используют меньший ток, значение которого определяет, в каком из состояний находится кристалл. В феврале 2011 г. на ISSCC 2011 компания Samsung представила 1-гигабитный элемент памяти на основе фазовых переходов с интерфейсом LPDDR2-N, произведенный по 58-нм техпроцессу.
Новое устройство имеет рабочее напряжение 1,8 В и программируемую полосу пропускания 40 МБ/с, т.е. обладает практически такими же геометрией и плотностью ячеек памяти, как NAND. Как отмечают эксперты, возможности NAND хранить несколько бит в одной ячейке дает определенные преимущества по емкости перед PCM. С другой стороны, PCM уже преодолела множество барьеров, стоящих на пути коммерческого внедрения, в частности влияние нагрева на соседние ячейки. Есть определенные сомнения связанные с тем, может ли чувствительность к температуре повлиять на состояние памяти в процессе производства печатных схем.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
