`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Раскрыт секрет «идеального» материала для волитроники

0 
 

Раскрыт секрет «идеального» материала для волитроники

Волитроника работает с «долинным» током — стабильным, нерассеивающимся током, который управляется псевдомагнитным полем или кривизной — понятие, введённое Майклом Берри (Michael Berry) в 1984 году. Необходимой предпосылкой для возникновения кривизны Берри является нарушение инверсионной симметрии или симметрии обращения времени. В качестве перспективных материалов для волитронных устройств обработки и хранения информации активно изучаются 2D-структуры, такие как дихалькогениды переходных металлов (TMDG) или бислойный графен, поскольку они демонстрируют отсутствие инверсионной симметрии.

В большинстве случаев, исследовавшиеся 2D-материалы были заключены в гексагональный нитрид бора (hBN), материал с широкой запрещенной зоной, который сопоставим с графеном по параметру кристаллической решетки. Инкапсуляция со слоем hBN защищает графен и другие двумерные материалы от нежелательной адсорбции рассеянных молекул, сохраняя при этом их свойства. Тем не менее, в большинстве волитронных исследований биграфена с инкапсуляцией hBN не учитывалось влияние такой оболочки на нарушение симметрии и создание кривизны Берри.

Ясность в этот вопрос внесли учёные из Японского института успехов науки и техники (JAIST), показавшие, что гетероструктура hBN/биграфен, конфигурация, а также ориентация слоёв hBN оказывают огромное влияние на полярность, а также на величину кривизны Берри. Их выводы, полученные в результате расчётов от первого принципа, изложены в статье, которая была опубликована в журнале Physical Review B.

hBN/биграфен без инкапсуляции —гетероструктура, в которой hBN используется как подложка — нарушает симметрию из-за разности потенциалов двух слоёв биграфена. Такая асимметрия приводит к возникновению ненулевой кривизны Берри. Однако инкапсуляция, при которой верхний и нижний слой hBN находятся не в фазе, обнуляет эффект hBN и приводит систему к симметрии, уменьшая величину кривизны Берри.

Если же при инкапсуляции фазы верхнего и нижнего слоёв hBN согласованы между собой, асимметрия между слоями возрастает и кривизна Берри становится больше. Группа из JAIST также установила, что величиной и полярностью кривизны Берри во всех вышеупомянутых случаях можно манипулировать с помощью электрического поля, прилагаемого вне главной плоскости.

«Мы полагаем, что как с теоретической, так и с экспериментальной точки зрения такой точный анализ влияния использования hBN как в качестве подложки, так и в качестве инкапсулирующего слоя для устройств на основе графена дает глубокое понимание системы, которая имеет большой потенциал для того, чтобы стать идеальным материалом волитроники», — отметил участник работы, профессор JAIST Хироси Мизута (Hiroshi Mizuta).

Успішний кейс побудови ефективної кібербезпеки для групи компаній

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT