Миниатюризация носителей информации достигает фундаментальных пределов. Новый подход состоит в том, чтобы использовать спин-кроссоверные молекулы в качестве наименьшего блока памяти. Они могут хранить информацию об их магнитном состоянии.
Стремясь продвинуть 2D-полупроводники ближе к коммерциализации, команда исследователей из Университета науки и технологии им. короля Абдуллы (KAUST) получила полностью прозрачные ультратонкие и совместимые транзисторы, а также инверторы.
Сверхточное моделирование технологии хранения данных, известной как проводящее мостовое запоминающее устройство с произвольным доступом (Conductive Bridging RAM, CBRAM), показывает ее оптимальную геометрию: изолятор толщиной примерно в десять атомов, расположенный между двумя электродами.
Исследование, опубликованное в «Астрофизическом журнале», использует новую теоретическую модель Вселенной, основанную на масштабной инвариантности пустого пространства, не включающую темные материю и энергию.
Команда Корейского института передовой науки и техники (KAIST) сообщила об сверхгибкой органической флэш-памяти, которая сгибается до радиуса 300 мкм. Память демонстрирует значительно длительный прогнозируемый коэффициент удержания данных с напряжением программирования наравне с существующими промышленными стандартами.
