Novellus усовершенствовала процесс напыления диэлектрика для чипов с уровнем детализации 32 нм

В соответствии с законом Мура, производители интегральных схем должны постепенно уменьшать расстояние между узлами в чипе с целью повышения быстродействия. К настоящему времени детализация составляет уже менее 45 нм. Ученые продолжают экспериментировать с альтернативными материалами, более совершенными схемами интеграции и т. д., при этом удачные разработки начинают внедряться в массово производимые чипы.

Компании Novellus, благодаря применению архитектуры системы VECTOR PECVD, удалось усовершенствовать процесс напыления диэлектрических пленок для 32-нанометровых устройств. Ее технология позволила снизить параметр k_effective на 5% по сравнению с аналогичными методами без существенного изменения материалов.

Уменьшение значения k_effective является основной целью на пути к интеграции диэлектриков с низким уровнем параметра k (low-k) в производство полупроводников.