IBM предложила способ производства солнечных батарей из бракованных кремниевых пластин

Компания IBM разработала и апробировала технологию обработки бракованных кремниевых пластин, которая позволяет удалить с их поверхности слой транзисторов. Такую очищенную пластину можно использовать в дальнейшем в производстве панелей для солнечных батарей.

Для выпуска полупроводниковых микросхем используются кремниевые пластины. По данным Semiconductor Industry Association ежедневно в производство запускается 250 тыс 200- и 300-миллиметровых заготовок. Как и в любом производстве, брак неизбежен, и, по оценкам IBM, составляет около 3,3%, или 3 млн шт. в год. Вследствие того, что нанесенный на кремниевую пластину слой транзисторов составляет коммерческую тайну, ранее бракованные пластины просто уничтожались.

Предложенная IBM технология позволит повторно использовать бракованные пластины, и будет способствовать решению проблемы дефицита кремния в индустрии. Примечательно, что применение очищенных пластин в производстве солнечных батарей, позволяет на 30-90% сократить затраты электроэнергии в этом техпроцессе.

Новая технология уже применяется на предприятиие IBM в Берлингтоне (штат Вермонт) и в ближайшее время будет внедрена на фабрике в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк). По оценке IBM, данный проект позволит компании только в 2007 г. сэкономить около 1,5 млн долл.