+22 голоса |
Три крупнейших производителя компьютерной памяти при поддержке 100 технологических компаний анонсировали окончательные спецификации трехмерной DRAM, ориентированной на рынки сетевого оборудования и высокопроизводительных вычислений.
Технология Hybrid Memory Cube, которую продвигает одноименный консорциум во главе с Micron, Samsung и Hynix, предполагает объединение в многослойный стек чипов энергозависимой памяти. При этом большинство логических функций вынесено в контроллер DRAM, занимающий нижний слой данного модуля, и отвечающий также за интерфейсное соединение с главным процессором.
Все слои оперативной памяти соединяются с контроллером электрическими проводами, пропущенными через кремниевые подложки вертикально — сравнительно новая технология VIA (Vertical Interconnect Access).
Первая спецификация Hybrid Memory Cube определяет устройства емкостью 2 и 4 ГБ, с общей двунаправленной полосой пропускания до 160 ГБ/с. Это в 15 раз больше, чем у DDR3 (11 ГБ/с) и в 7 раз — чем у DDR4
Консорциум предложил два варианта физических интерфейсов для Hybrid Memory Cube: близкого и сверхблизкого радиуса действия. Первый предусматривает размещение памяти не далее 10 дюймов от процессора хост-системы. Он предназначен в основном для сетевых приложений и нацелен на увеличение пропускной способности до
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+22 голоса |