Hybrid Memory Cube увеличивает быстродействие DRAM в 15 раз

Три крупнейших производителя компьютерной памяти при поддержке 100 технологических компаний анонсировали окончательные спецификации трехмерной DRAM, ориентированной на рынки сетевого оборудования и высокопроизводительных вычислений.

Технология Hybrid Memory Cube, которую продвигает одноименный консорциум во главе с Micron, Samsung и Hynix, предполагает объединение в многослойный стек чипов энергозависимой памяти. При этом большинство логических функций вынесено в контроллер DRAM, занимающий нижний слой данного модуля, и отвечающий также за интерфейсное соединение с главным процессором.

Все слои оперативной памяти соединяются с контроллером электрическими проводами, пропущенными через кремниевые подложки вертикально — сравнительно новая технология VIA (Vertical Interconnect Access).

Первая спецификация Hybrid Memory Cube определяет устройства емкостью 2 и 4 ГБ, с общей двунаправленной полосой пропускания до 160 ГБ/с. Это в 15 раз больше, чем у DDR3 (11 ГБ/с) и в 7 раз — чем у DDR4 (18-20 ГБ/с), затраты же энергии сокращаются примерно на 70%.

Консорциум предложил два варианта физических интерфейсов для Hybrid Memory Cube: близкого и сверхблизкого радиуса действия. Первый предусматривает размещение памяти не далее 10 дюймов от процессора хост-системы. Он предназначен в основном для сетевых приложений и нацелен на увеличение пропускной способности до 15-28 Гб/с на один контакт. Второй вариант ориентирован на энергоэффективные высокоплотные решения FPGA, ASIC и ASSP для тестово-измерительных и быстродействующих сетевых приложений, расстояние до процессора составляет от 1 до 3 дюймов, производительность — 15 Гб/с на контакт.