>Оперативная память
Статья
Автор – Евгений Пугач, 18 августа 2009 г.
Статья опубликована в №26 (692) от 21 июля
Представленные на рынке процессоры Intel Core i7 оснащены трехканальным контроллером памяти, интегрированным в кристалл CPU. Это позволяет добиться отличных показателей пропускной способности и латентности подсистемы памяти, чем ранее платформа Intel похвастаться не могла.
Новость
13 августа 2009 г., 13:18
Winbond Electronics заключила соглашение с администратором по ликвидации чипмейкера Qimonda, дающее ей право разрабатывать, выпускать и продавать графическую память DRAM (GDDR).
Статья
Автор – Евгений Пугач, 13 августа 2009 г.
Статья опубликована в №26 (692) от 21 июля
Выход на рынок оперативной памяти стандарта DDR3, состоявшийся в 2007 г., не встретил энтузиазма ни со стороны потребителей, ни со стороны производителей чипов и модулей ОЗУ. Спустя два года индустрия DRAM исчерпала возможности DDR2, и пришло время перехода на новый тип памяти. Сможет ли DDR3 все же стать достойной заменой?
Новость
12 августа 2009 г., 14:36
Корпорация SRC (Semiconductor Research Corporation) совместно с исследователями из Йельского университета разработали способ значительно повысить производительности чипов памяти DRAM.
Статья
Автор – Евгений Пугач, 11 августа 2009 г.
Статья опубликована в №26 (692) от 21 июля
Мировой рынок DRAM на сегодняшний день занимает четвертое по обороту место в иерархии рынков полупроводниковой продукции, уступая лишь системной логике, аналоговому производству и микропроцессорам, и оценивается в 29,1 млрд долл. в год. Однако уже много лет он остается и самым нестабильным, сочетая уверенный рост объемов продаж с не менее постоянным падением прибылей.
Новость
10 августа 2009 г., 12:15
Hynix Semiconductor выпустила 4-гигабитовые микросхемы мобильной памяти DDR SDRAM, предназначенные для применения с Moorestown – платформой Intel для портативных устройств для работы с Интернетом (MID). Масовые поставки чипов в вариантах монтажа MCP (multi-chip package), POP( package-on-package) начнутся в текущем квартале.
Новость
31 июля 2009 г., 14:13
Micron Technology сообщила о выпуске первых в индустрии модулей LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module) памяти DDR3. Они собираются из чипов DDR3 2 Гб с уровнем детализации 50 нм и рабочим напряжением 1,35 В.
Новость
22 июля 2009 г., 11:55
«Набирающий силу процесс перехода рынка на DDR3 мы встречаем ранним выходом DDR3 2 ГБ, изготовляемой с применением наиболее эффективного процесса производства DRAM, доступного сегодня,» - заявил Джим Эллиот (Jim Elliott), вице-президент Samsung Semiconductor по маркетингу памяти.
Новость
22 июля 2009 г., 10:35
Сохраняя существующую тенденцию - поднявшись на 5% в первой половине июля - контрактная стоимость чипов DDR3 во второй половине месяца продолжила рост по причине небольших объемов предложения и активности ОЕМ-производителей ПК в пополнении запасов комплектующих.
Новость
7 июля 2009 г., 17:55
Согласно информации DRAMeXchange, от 30 до 70% моделей компьютеров в IV квартале 2009 г. будет оснащено памятью DDR3 и во второй половине июле и августе стоимость чипов этого типа вырастет. При этом сборщики ПК имеют определенные складские запасы DDR2, что не способствует активизации торговли.
|