>Оперативная память

Компания Samsung Electronics провела седьмой по счету Samsung Mobile Solutions Forum в Тайбэе, где были освещены современные тенденции мобильных устройств и показаны технологии будущего.

Агрессивное инвестирование Samsung Electronics в более совершенные технологические процессы, по мнению iSuppli, принесло закономерный результат во II квартале 2010 г. позволив компании превзойти конкурентов по объему производства и упрочить лидерство на глобальном рынке DRAM.

Kingston расширила модельный ряд модулей памяти стандарта DDR3 и выпустила оригинальные устройства, для охлаждения чипов, в которых применяется система водяного охлаждения. Новинки доступны в виде двух- и трехканальных комплектов. Они представлены в рамках серии HyperX H2O.

Компания Samsung Electronics первой в мире начала массовое производство 2-гигабитных чипов Green DDR3 с применением 30-нанометровых технологических норм.

По оценкам аналитиков DRAMeXchange, учитывая массовый переход производителей памяти DRAM на технологические процессы с детализацией 4х нм, уже в финальной четверти текущего года стоимость чипов может снизиться, а по итогам 2011 г. цены сократятся на 30% в годовом сравнении.

Новый LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module), разработанный Samsung Electronics для виртуализации, облачных вычислений и прочих серверных приложений, использует чипы DDR3 емкостью 4 Гб, изготовляемые по передовой технологии с уровнем детализации класса 40 нм.

Японская компания Elpida Memory объявила о завершении разработки высокоплотного скоростного чипа GDDR5 2 Гб с низким энергопотреблением и использованием 50-нанометрового техпроцесса и медных соединений.

Президент тайваньской Winbond Electronics Тун-и Чань (Tung-Yi Chan) сообщил, что, по его данным, в настоящее время примерно 20% спроса на флэш-память типа NOR остаются неудовлетворенными. Цены на такие микросхемы продолжат расти в течение III квартала, однако, в отношении последней четверти года у него более оптимистичные прогнозы.

Fujitsu Laboratories объявила о разработке новой схемы ячейки для памяти MRAM с передачей спинового момента (spin-torque-transfer), которая изменяет привычный порядок магнитного туннельного перехода и благодаря этому позволяет уменьшить площадь ячейки на 60% и достичь более высокой степени интеграции.

Nanya Technology обнародовала планы начать пилотный выпуск 12-дюймовых заготовок с уровнем детализации 42 нм уже в июне, а не в III квартале, как предполагала ранее.