|
СПЕЦІАЛЬНІ ПАРТНЕРИ ПРОЕКТУ BEST CIOОпределение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях Человек годаКто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка. Продукт годаНаграды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары |
>Оперативная памятьНовость Samsung увеличит выпуск DDR3 для новой серверной платформы Intel23 апреля 2009 г., 10:45Samsung Electronics сообщила, о намерена в текущем месяце увеличить объем производства наиболее совершенной из предлагаемой сегодня системной памяти, DDR3. Этот шаг продиктован стремлением удовлетворить всплеск спроса, связанный с выходом семейства процессоров Xeon 5500 корпорации Intel.
Новость DRAMeXchange: коммерческий выпуск DRAM по нормам 50-нм задержится на 3-6 месяцев15 апреля 2009 г., 16:21В 2008 г. стоимость чипов DRAM упала на 85%, в то время как в индустрии уже более двух лет наблюдалась тенденция к спаду, а спрос неожиданно снизился благодаря началу мирового экономического кризиса во второй половине 2008 г. В I кв. 2009 г. цена чипа DDR2 667 МГц 1 Гб составила $0,88 практически достигнув себестоимости.
Статья Kingston KHX16000D3T1K3/3GX: скорость превыше всегоАвтор – КО, 10 апреля 2009 г.Статья опубликована в №11 (677) от 31 марта Трехканальный комплект Kingston KHX16000D3T1K3/3GX емкостью 3 ГБ, ориентированный на установку в платформу Intel Core i7, является топовым в линейке производителя. Эти модули, основанные на популярных оверклокерских чипах Samsung HCF0, функционируют на частоте 2000 МГц при задержках 9-9-9-27 и напряжении питания 1,65 В. Именно низкие тайминги при такой высокой частоте отличают этот комплект от других в ассортименте Kingston.
Новость DRAMeXchange: Windows 7 не сможет активизировать сбыт ПК и оперативной памяти23 марта 2009 г., 9:45По мнению экспертов DRAMeXchange, маловероятно, что выход Windows 7 повысит спрос на ПК в 2009 г. по двум причинам: во-первых, компании урезают траты на ИТ, а во-вторых, до приобретения системой стабильности с момента выпуска обычно проходит около года.
Новость Samsung провела проверку первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40 нм16 марта 2009 г., 14:10Компания Samsung считает, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 г. компания планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных устройств DDR3.
Новость Увеличение объема поставок позволило Kingston завершить 2008 г. с оборотом в 4 млрд долл.16 марта 2009 г., 11:24Компания Kingston Technology, ведущий мировой независимый производитель устройств хранения данных, объявила о том, что в 2008 г. общий объем продаж устройств хранения данных увеличился на 41% по сравнению с показателями за 2007 г.
Новость Gartner: капитальные затраты на оборудование для производства полупроводников снизятся на 45% в 2009 г.11 марта 2009 г., 13:05Компания обнародовала данный прогноз, принимая во внимание ухудшающиеся экономические условия и спад в полупроводниковой индустрии. Предполагается, что снижение издержек на капитальное оборудование продолжится вплоть до вероятного начала стабилизации рынка в 2010 г.
Новость Rambus и Hynix пришли к соглашению по вопросам лицензирования технологий SDRAM10 марта 2009 г., 14:05Фирма Rambus сообщила, что достигнута принципиальная договоренность с Hynix Semiconductor в отношении обязательной лицензии на SDR SDRAM и DDR SDRAM. Размеры отчислений продаж с 31 января 2009 г. по 18 апреля 2010 г. составят 1% для устройств SDR и 4,25% для DDR. Второй тариф применим к памяти DDR, DDR2, DDR3, GDDR, GDDR2 и GDDR3 SDRAM.
Новость Micron поделится с Тайванем технологиями DRAM2 марта 2009 г., 16:02По информации DigiTimes, крупнейший конгломерат нефтехимического бизнеса Тайваня Formosa Plastics Group, дочерними компаниями которого являются Nanya Technology и Inotera Memories, заверил правительство Тайваня в том, что Micron Technology предоставит свыше 2,5 тыс. патентов контролируемой государством фирме Taiwan Memory.
Новость NEC сообщила о достижениях в разработке памяти для SoC16 февраля 2009 г., 11:57На International Solid-State Circuit Conference (ISSCC) 2009 корпорация NEC сообщила подробности о созданной ею новой архитектуре памяти (chip-stacked flexible memory), которая может быть использована в SoC. Она предусматривает очень плотное размещение логических цепей и памяти благодаря применению трехмерной упаковки чипов.
|
Последние обсуждения
ТОП-новости
ТОП-блогиТОП-статьи
|
||
