Резистивная память (мемристор) на основе графена, который может существовать во многих различных состояниях, была разработана и продемонстрирована Томасом Шрангхамером (Thomas Schranghamer), Аарьяном Оберой (Aaryan Oberoi) и Саптарши Дасом (Saptarshi Das) из Университета штата Пенсильвания в США.