| 0 |
|
На конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021 компания Intel представила свой путь к более чем 10-кратному увеличению плотности межсоединений в упаковке с гибридным соединением, к масштабированию площади упаковки транзисторов на 30-50%, крупным прорывам в новых технологиях электропитания и памяти. Представлены также новые технологии и концепции, которые однажды могут произвести революцию в вычислениях.
«В Intel никогда не прекращаются исследования и инновации, необходимые для продвижения закона Мура. Наша группа по исследованию компонентов делится ключевыми научными достижениями на IEDM 2021, предлагая революционные технологии обработки и упаковки для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительные вычисления, от которых зависят наша отрасль и общество. Это результат неустанного труда наших лучших ученых и инженеров», заявил Роберт Чау (Robert Chau), старший научный сотрудник Intel и генеральный менеджер по исследованиям компонентов.
Исследователи компании обрисовали в общих чертах решения проблем проектирования, производства и сборки гибридных межсоединений, которые могут привести к более чем 10-кратному повышению плотности межсоединений в упаковке. На мероприятии Intel Accelerated в июле корпорация Intel объявила о планах по внедрению Foveros Direct, обеспечивающего шаг менее 10 микрон, что на порядок увеличивает плотность межсоединений для трехмерного стекирования. Чтобы экосистема могла воспользоваться преимуществами усовершенствованной упаковки, Intel также призывает к установлению новых отраслевых стандартов и процедур тестирования, чтобы создать экосистему гибридных связывающих чиплетов.
Выходя за рамки своего универсального RibbonFET, Intel осваивает наступающую эру пост-FinFET с подходом к наложению нескольких транзисторов, который нацелен на максимальное улучшение логического масштабирования от 30% до 50%.
Как следует из докладов Intel более эффективные технологии питания будут развиваться за счет первой в мире интеграции силовых переключателей на основе GaN с кремниевой КМОП-системой на пластине 300 мм. Это должно создать основу для высокоскоростной подачи питания на процессоры с низкими потерями и одновременного сокращения компонентов материнской платы и необходимого пространства.
Еще одним достижением Intel являются ведущие в отрасли возможности чтения/записи с малой задержкой за счет использования новых сегнетоэлектрических материалов для встроенной DRAM следующего поколения, которая может предоставить большие ресурсы памяти для приложений, требующих больших вычислительных ресурсов.
Кроме того, корпорация Intel стремится добиться высокой производительности с помощью квантовых вычислений на основе кремниевых транзисторов, а также совершенно новых коммутаторов для сверхэнергоэффективных вычислений при комнатной температуре. В будущем эти открытия могут заменить классические MOSFET-транзисторы с использованием совершенно новых концепций в физике.
На IEDM 2021 Intel продемонстрировала первую в мире экспериментальную реализацию магнитоэлектрического спин-орбитального логического устройства (MESO), работающего при комнатной температуре. Была показана потенциальная возможность изготовления нового типа транзистора на основе переключаемых магнитов нанометрового размера.
Сообщается, что Intel и IMEC продвигаются вперед в исследованиях спинтронных материалов для создания на их базе полностью функционального устройства.
Intel также продемонстрировала полные технологические процессы 300-миллиметровых кубитов для реализации масштабируемых квантовых вычислений, совместимых с производством КМОП, и определила следующие шаги для будущих исследований.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
