| 0 |
|
Прорывом в архитектурах компьютерной памяти назвала IBM Research создание её учёными первой по их утверждению встраиваемой магниторезистивной RAM с уровнем детализации 14 нм.
Новая архитектура, получившая название Spin Transfer Torque MRAM (STT-MRAM), призвана помочь ликвидировать связанные с памятью узкие места рабочих нагрузок искусственного интеллекта (ИИ) и других гибридных облачных вычислений, интенсивно использующих данные.
В своём блоге IBM утверждает, что STT-MRAM, представленная на международной конференции по электронным устройствам IEEE IEDM 2020, решает эту проблему, нивелируя разницу в быстродействии между центральными процессорами и оперативной памятью.
STT-MRAM использует спин электронов для хранения данных в магнитных доменах и сочетает высокую скорость статической RAM с более высокой плотностью традиционной DRAM. Развёртывание STT-MRAM в процессорном кэше последнего уровня уменьшит число обращений к памяти, тем самым снижая задержку и энергопотребление при одновременном увеличении пропускной способности.
«Самая продвинутая архитектура MRAM» стала возможной благодаря использованию некоторых передовых магнитных материалов, благодаря которым системы STT-MRAM могут хранить вдвое больше битов, что ведёт к значительному увеличению производительности работы с данными, сообщает IBM.
IBM также представила на IEDM ряд статей, освещающих её успехи в разработке резистивных устройств, совмещающих функции процессора и памяти для достижения «аналогового превосходства» в скорости и энергозатратности тренировки сложных моделей ИИ.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
