| 0 |
|
Сплав германия с оловом (GeSn) это полупроводник, с которым связывают большие надежды на интеграцию оптики в компьютерные чипы — в отличие от стандартного для них кремния GeSn может эффективно излучать свет.
В последние несколько лет многие разработчики будущих оптоэлектронных суперчипов экспериментируют с выращиванием этого полупроводника на кремниевых подложках. Такое усовершенствование может упростить создание полностью интегрированных компонентов кремниевой фотоники, включающих электронные схемы и лазеры и, благодаря этому, обеспечивающих улучшение быстродействия микропроцессоров с минимальными затратами.
Новейшим достижением в этой области поделились в статье для Applied Physics Letters участники межинститутского проекта, реализуемого на базе Арканзасского университета при поддержке ведущего производителя оборудования для полупроводниковой индустрии, ASM America.
Они продемонстрировали лазер GeSn торцевого излучения с оптической накачкой. Порог лазера и длина волны излучения были измерены при 10 K и составляют 68 кВт/см2 и 2476 нм, соответственно.
«Мы снизили лазерный порог на 80% при рабочих температурах до 110 кельвин, — рассказывает профессор Арканзасского университета Фишер Ю (Shui-Qing «Fisher» Yu). — Это значительный прогресс если сравнивать с лучшими публиковавшимися раньше результатами, который свидетельствует о большом потенциале GeSn для лазеров, встраиваемых в чипы».
Экспериментальное устройство было целиком выращено в стандартном промышленном реакторе химическим осаждением из газовой фазы с использованием дешевых исходных компонентов (SnCl4 и GeH4) и разработанного в ASM одноэтапного эпитаксиального процесса.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
