`

СПЕЦИАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТА

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung першою починає виробництво чіпів за нормами 3 нм та архітектурою GAA

0 
 

Топ найкращих зарядок iPhone 13

Компанія Samsung Electronics оголосила про старт виробництва чипів з вузлами 3 нм із застосуванням транзисторної архітектури Gate-All-Around (GAA).

Компонування Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) реалізована Samsung вперше та кидає виклик обмеженням продуктивності FinFET - підвищуючи енергоефективність шляхом зниження рівня напруги живлення, а також підвищуючи продуктивність завдяки збільшенню струму.

«Samsung стрімко розвивається, оскільки ми продовжуємо демонструвати лідерство у застосуванні технологій наступного покоління у виробництві, таких як перші в напівпровідникової галузі High-K Metal Gate, FinFET, а також EUV. Ми прагнемо зберегти це лідерство з першим у світі 3-нм техпроцесом із MBCFET», підкреслив д-р Сійонг Чой (Siyoung Choi), президент і керівник напівпровідникового виробництва Samsung Electronics.

Запатентована технологія Samsung використовує нанопластини з ширшими каналами, що забезпечує вищу продуктивність і більшу енергоефективність у порівнянні з технологіями GAA, в яких ставка робиться на нанопроводи з вужчими каналами. Використовуючи 3 нм технологію GAA, компанія зможе регулювати ширину каналу нанолистів, щоб оптимізувати енергоспоживання та продуктивність для задоволення різноманітних потреб клієнтів.

Крім того, гнучкість конструкції GAA є надзвичайно продуктивною для спільної оптимізації технології проєктування (Design Technology Co-Optimization, DTCO), яка допомагає збільшити переваги по потужності, продуктивності та площі (Power, Performance, Area, PPA). У порівнянні з 5 нм новий процес 3 нм першого покоління дозволить зменшити енергоспоживання до 45%, підвищити продуктивність на 23% і зменшити площу кристала на 16%. Прогнозується, що 3 нм процес другого покоління дозволить зменшити споживання енергії на до 50%, підвищити продуктивність на 30% і мінімізувати площину кристала на 35%.

Оскільки технологічні вузли стають меншими, а потреби в продуктивності чіпів зростають, розробники ІС стикаються з проблемами обробки величезних обсягів даних для перевірки складних продуктів з більшою кількістю функцій і меншим масштабуванням. Щоб задовольнити такі вимоги, Samsung прагне забезпечити більш стабільне середовище проєктування та скоротити час, необхідний для процесу перевірки.

Починаючи з третього кварталу 2021 року, Samsung Electronics надає перевірену інфраструктуру проєктування шляхом тривалої підготовки з партнерами Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), зокрема Ansys, Cadence, Siemens і Synopsys, щоб допомогти клієнтам удосконалити свій продукт за скорочений період часу.

Samsung першою починає виробництво чіпів за нормами 3 нм та архітектурою GAA

 

Як протидіяти DDoS та цілеспрямованим атакам на інфраструктуру

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT