Samsung першою починає виробництво чіпів за нормами 3 нм та архітектурою GAA
Компанія Samsung Electronics оголосила про старт виробництва чипів з вузлами 3 нм із застосуванням транзисторної архітектури Gate-All-Around (GAA).
Компонування Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) реалізована Samsung вперше та кидає виклик обмеженням продуктивності FinFET - підвищуючи енергоефективність шляхом зниження рівня напруги живлення, а також підвищуючи продуктивність завдяки збільшенню струму.
«Samsung стрімко розвивається, оскільки ми продовжуємо демонструвати лідерство у застосуванні технологій наступного покоління у виробництві, таких як перші в напівпровідникової галузі High-K Metal Gate, FinFET, а також EUV. Ми прагнемо зберегти це лідерство з першим у світі 3-нм техпроцесом із MBCFET», підкреслив д-р Сійонг Чой (Siyoung Choi), президент і керівник напівпровідникового виробництва Samsung Electronics.
Запатентована технологія Samsung використовує нанопластини з ширшими каналами, що забезпечує вищу продуктивність і більшу енергоефективність у порівнянні з технологіями GAA, в яких ставка робиться на нанопроводи з вужчими каналами. Використовуючи 3 нм технологію GAA, компанія зможе регулювати ширину каналу нанолистів, щоб оптимізувати енергоспоживання та продуктивність для задоволення різноманітних потреб клієнтів.
Крім того, гнучкість конструкції GAA є надзвичайно продуктивною для спільної оптимізації технології проєктування (Design Technology Co-Optimization, DTCO), яка допомагає збільшити переваги по потужності, продуктивності та площі (Power, Performance, Area, PPA). У порівнянні з 5 нм новий процес 3 нм першого покоління дозволить зменшити енергоспоживання до 45%, підвищити продуктивність на 23% і зменшити площу кристала на 16%. Прогнозується, що 3 нм процес другого покоління дозволить зменшити споживання енергії на до 50%, підвищити продуктивність на 30% і мінімізувати площину кристала на 35%.
Оскільки технологічні вузли стають меншими, а потреби в продуктивності чіпів зростають, розробники ІС стикаються з проблемами обробки величезних обсягів даних для перевірки складних продуктів з більшою кількістю функцій і меншим масштабуванням. Щоб задовольнити такі вимоги, Samsung прагне забезпечити більш стабільне середовище проєктування та скоротити час, необхідний для процесу перевірки.
Починаючи з третього кварталу 2021 року, Samsung Electronics надає перевірену інфраструктуру проєктування шляхом тривалої підготовки з партнерами Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE), зокрема Ansys, Cadence, Siemens і Synopsys, щоб допомогти клієнтам удосконалити свій продукт за скорочений період часу.
