| +22 голоса |
|
На симпозиуме 2009 VLSI в Киото (Япония) корпорация Toshiba представила технологию масштабируемого порога high-k/Ge с промежуточным слоем германида стронция, пригодную для применения в полевых транзисторах MISFET (metal-insulator-semiconductor field-effect transistors) с уровнем детализации 16 нм и далее.
В современных MISFET материалом каналов является кремний, физические ограничения которого делают сложной проблемой получение достаточного управляющего тока с дальнейшей миниатюризацией транзисторов. Германий давно известен как один из перспективных заменителей кремния с высокими характеристиками мобильности носителей заряда, но его внедрение в интегральных схемах сопряжено со значительными трудностями.
Toshiba создала технологию, позволяющую изготовлять тонкие пороги с сохранением высокой мобильности дырок, путем введения германида стронция (SrGex) между германиевым каналом и изолирующим слоем high-k. Германий подвергается термической обработке в вакууме, на его поверхность наносится тонкий (толщина до 10 атомов) слой стронция, а затем, пленка диэлектрика high-k (LaAlO3). После отжига в атмосфере азота между high-k и германиевым каналом создается прослойка SrGex.
Опытами Toshiba подтверждено, что коэффициент мобильности дырок в результате достигает рекордного для high-k/Ge p-MISFET значения 481 см2/В с. Внедрение прослойки увеличило EOT (Equivalent Oxide Thickness) лишь на 0,2 нм до 1 нм, что создает предпосылки дальнейшего уменьшения EOT до 0,5 нм путем применения более эффективного диэлектрика или уменьшения его слоя.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
