| 0 |
|
Сотрудники отдела электронных технологий Лаборатории ВМС США (NRL) совместно с лондонским Imperial College и компанией MicroLink Devices (Найлз, штат Иллинойс) разработали новую конструкцию трехпереходного солнечного элемента, способную в перспективе преодолеть барьер 50% эффективности преобразования солнечной энергии в электричество.
Прежнее лучшее достижение для трехпереходной солнечной ячейки и концентрированного освещения составляло 44%. Теоретически же, элемент с бесконечным числом переходов (каждый для своей длины волны) может достичь максимального КПД примерно в 87%.
Чтобы приблизиться к этому пределу требуется научиться выращивать с высокой кристаллической точностью полупроводниковый материал, способный совмещать в себе широкий диапазон запрещенных зон.
Предложенная специалистами NRL конструкция многопереходной ячейки позволяет реализовать запрещенные зоны для прямых переходов в диапазоне энергий от 0,7 до 1,8 электрон-вольт (эВ) в материалах, совмещенных на уровне кристаллической решетки с подложкой из фосфида индия (InP). Основной инновацией стало открытие таких материалов — четырехкомпонентных сплавов индия, алюминия, мышьяка и сурьмы (InAlAsSb).
Прежде уже было известно, что совмещенные с решеткой InP полупроводники могут обеспечивать запрещенные зоны 1,4 эВ и ниже, но не имелось даже трехкомпонентных прямозонных вариантов для более высоких энергий.
Работа NRL недавно получила поддержку Министерства энергетики США. Она трансформирована в трехлетний проект ARPA-E (Advanced Research Projects Agency-Energy) по разработке материалов и оборудования для реализации новой технологии солнечных батарей. Помимо NRL и MicroLink в нем принимает участие Технологический институт Рочестера (штат Нью-Йорк).
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
