| 0 |
|
О выпуске образцов самой малогабаритной двухгигабайтовой микросхемы памяти DDR3 сообщила Samsung Electronics. Представленное устройство демонстрирует производительность на 60% выше, чем DDR2 эквивалентной плотности. Применение RIMM на его основе общей вместимостью до 16 ГБ позволит сократить расход энергии в ПК и серверах на 40% в сравнении с модулями, укомплектованными микросхемами DDR3 1 Гб.
Двухгигабитовый продукт поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гб/с при напряжении 1,5 или 1,35 В. Это в 1,6 раз выше, чем может обеспечить комплект из двух DDR3 1 Гб (800 Мб/с). Вдобавок, уменьшение вдвое количества микросхем снижает излучение тепла, что особенно важно в серверных решениях с плотной компоновкой.
Благодаря небольшим габаритам чипа на одном RIMM можно разместить до 8 ГБ памяти, а на SODIMM (small outline dual in-line memory modules) или UDIMM (unregistered in-line memory modules) - 4 ГБ.
Технология производства с нормой 50 нм, используемая при изготовлении образцов новой памяти, должна стать стандартом для предприятий Samsung начиная со следующего года. Массовый выпуск DDR3 1 Гб планируется начать еще в 2008 г.
По прогнозам IDC, DDR3 составит 72% всех микросхем, проданных на рынке DRAM в 2011 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
