| 0 |
|
Новый материал, полученный в университете Северной Каролины (NC State), может быть интегрирован в кремниевые микросхемы и является разбавленным магнитным полупроводником (dilute magnetic semiconductor). Последнее означает, что его можно использовать для создания спинтронных транзисторов, которые работают с магнитными силами, а не с электрическими токами.
Это вещество, оксид олова/стронция (Sr3SnO), синтезировано в виде тонкой эпитаксиальной пленки, на кремниевой подложке. Термин эпитаксиальный означает, что материал представляет собой единый кристалл.
«Мы говорим о холодных транзисторах, для применения в спинтронике, — отмечает доктор Джай Нараян (Jay Narayan), заслуженный профессор NC State и старший автор статьи в Applied Physics Letters, описывающей работу. — Существуют другие материалы, являющиеся разбавленными магнитными полупроводниками, но исследователи пытались интегрировать их на кремниевую основу, что существенно для использования в многофункциональных, интеллектуальных устройствах. Этот материал нам удалось синтезировать как единый кристалл на кремниевом чипе».
Изначально, ученые намеревались получить материал, который, по предположениям, мог оказаться топологическим изолятором — проводником на поверхности и изолятором в своем объеме. Уже известны два таких материала — теллурид висмута и селенид висмута. Однако, теоретики предсказали, что свойствами топологических изоляторов могут обладать и другие вещества. Sr3SnO — один из таких теоретических кандидатов. Несмотря на то, что ранние испытания дали обнадеживающие результаты, исследователи продолжают тестировать материал, чтобы убедиться, что он обладает всеми характеристиками топологического изолятора.
«Узнать, что этот материал имеет свойства магнитного полупроводника, было приятным сюрпризом», — добавил другой участник работы, доктор Джастин Шварц (Justin Schwartz) , профессор и глава факультета научно-технического материаловедения в NC State.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
