| 0 |
|
Специалисты Infineon рассказали в Японии подробности о новой транзисторной 3D-архитектуре multi-gate field-effect transistor, которая обещает устранить многие из барьеров на пути производства более миниатюрных и высокопроизводительных электронных устройств.
Интегрированные многозатворные транзисторы предлагают по сравнению с сегодняшними планарными аналогами, выполненными по 65-нанометровой технологии, уменьшение утечки тока в закрытом состоянии более, чем в 10 раз, и 50%-ную экономию энергии при переключении вентилей. В докладе на конференции VLSI Technology Symposium в Киото, инженеры компании впервые представили метод внедрения таких транзисторов с усовершенствованными изоляторами high-k и металлическими затворами в сложные цифровые цепи с рекордными скоростью коммутации и эффективностью работы.
Infineon также провела первые тесты новой архитектуры: опытные образцы схем, изготовленные с уровнем детализации 65 нм, содержали свыше 23 тыс. транзисторов и SRAM. Они продемонстрировали самое короткое время переключения – 13,9 пикосекунд – на 40% меньше наилучшего, когда-либо зафиксированного для такого типа схем.
Компания продолжает совершенствовать новый технологический процесс, частично, в рамках партнерской программы межуниверситетского исследовательского центра IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center) в Левене (Бельгия). Она рассчитывает, что внедрение его в массовое производство станет возможным после выхода индустрии на 32-нанометровый уровень детализации.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
