| +22 голоса |
|
Hynix Semiconductor объявила о завершении разработки чипа DDR4 DRAM объемом 2 Гб и модуля на 2 ГБ на его основе. Микросхема будет производиться по технологии класса 30 нм (в пределах между 30 и 39 нм).
Напомним, что ранее о планах по выпуску аналогичного продукта объявила компания Samsung
Модуль Hynix включает проверку памяти на ошибки и выполняет их коррекцию (ECC), а выпускаться будет в форм-факторе SODIMM. Предполагается, что он найдет применение в компактных серверах, а его массовое производство запланировано на вторую половину 2012 г.
По заявлению Hynix, скорость обмена в ее решении достигает 2400 Мб/c, что является ныне рекордом и превышает показатели аналогичного модуля Samsung с его 2133 Мб/c при напряжении питания 1,2 В. Что уж говорить о сравнении с DDR3 1333 Мб/c.
Аналитики отмечают, что среди преимуществ DDR4 по сравнению с DDR3 не только удвоение тактовой частоты, но и уменьшение энергопотребления. Так модуль Hynix DDR4 работает при напряжении 1,2 В и способен достигать производительности 19,2 ГБ/с в 64-разрядных системах ввода-вывода.
По данным IHS-iSuppli, доля DDR4 DRAM должна увеличиться с 5% в 2013 г до 50% в 2015. Пик спроса на DDR3 ожидается в 2012 г, когда на этот тип памяти придется около 71%, а уже в 2014 г она уменьшится до 49%.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
