Компании Micron Technology и Nanya Technology сообщили о совместной разработке чипа памяти DDR3 объемом 2 Гб, используя новый техпроцесс DRAM с уровнем детализации 42 нм и медными соединениями. Память такого типа применяется в серверах, ноутбуках и настольных ПК.
Переход на уровень 42 нм позволит сократить рабочее напряжение с 1,5 до 1,35 В – это, в свою очередь, приведет к уменьшению энергопотребления и тепловыделения. По сравнению с прежними нормами также обеспечивается рост быстродействия (до 1866 Мб/с для чипа 2 Гб DDR3) и повышение эффективности производства. Появление новых микросхем позволит создавать модули объемом до 16 ГБ.
Начало выпуска чипов ограниченным тиражом намечено на II квартал 2010 г., в то время как массовое производство новинок запланировано на вторую половину года.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
