| 0 |
|
При создании микросхемы использовалось несколько новых технологий. Основой 50-нанометрового процесса является использование селективных эпитаксиальных транзисторов (SEG Tr) трехмерной архитектуры, которые оптимизируют скорость электронов в чипе, что обеспечивает уменьшение потребляемой мощности и повышение производительности. Применение многослойного диэлектрика (ZrO2/Al2O3/ZrO2), позволяет увеличить емкость запоминающего устройства и повысить надежность хранения данных. Также использовалась технология работы с трехмерными транзисторами RCAT (Recess Channel Array Transistor), созданная ранее компанией Samsung.
Новый 50-нанометровый технологический процесс может применяться для производства разнообразных чипов памяти DRAM, в том числе графических и мобильных, их массовое производство планируется начать в 2008 г. По оценкам специалистов, чипы DRAM с уровнем детализации 50 нм займут основное место на рынке памяти и к 2011 г. объем продаж таких устройств достигнет 55 млрд долл.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
