`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

UMC анонсирует первую в мире микросхему SRAM с детализацией 28 нм

+11
голос

О выпуске первой полнофункциональной микросхемы SRAM с уровнем детализации 28 нм сообщил ведущий контрактный производитель полупроводников UMC. Новые устройства базируются на независимо разработанной этой компанией технологии LL (Low-Leakage), кроме того при их изготовлении используются усовершенствованная иммерсионная литография (double-patterning immersion lithography) и напряженный кремний. При этом площадь одной шеститранзисторной ячейки SRAM составляет 0,122 мкм2.

Тайваньская фирма планирует выпускать 28-нанометровую продукцию на основе двух технологий, ориентируя чипы на различные области применения. Сочетание LL и обычной технологии кремний-оксидного затвора позволяет создавать устройства для мобильного оборудования. Для графических ускорителей, прикладных процессоров и микросхем скоростных коммуникаций будет предложена структура затвора high-k/metal.

Переход на уровень 28 нм позволит UMC увеличить плотность электронных схем почти вдвое по сравнению с применяемым ею сейчас 40-нанометровым процессом обработки заготовок диаметром 300 мм. Компания также планирует предоставлять сервисы по выпуску устройств с нормой 32 нм на базе ее 28-нанометрового процесса.

Защита промышленных сетей: основные риски и сценарии атак

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT