| 0 |
|
Компанія TSMC презентувала новий технологічний процес виробництва мікросхем.
З новим техпроцесом 1,6 нм TSMC дебютувала на спеціальному заході компанії в Санта-Кларі. Керівники також детально розповіли про другу майбутню технологію виробництва мікросхем, яка отримала назву NanoFlex. Вона дозволить змішувати та поєднувати різні типи транзисторів в одному процесорі.
У сучасному чипі транзистори розташовані під мережею крихітних дротів, які виконують три завдання. Дроти транспортують електрику до транзисторів і переміщують дані між ними для обчислень. Крім того, вони передають тактовий сигнал, своєрідну підказку, яку процесор випромінює через фіксовані проміжки часу, щоб його схеми були синхронізовані одна з одною.
Новий техпроцес TSMC використовує інший підхід до розведення мікросхем. У процесорах, виготовлених за цією технологією, дроти, які використовуються для передачі електроенергії до транзисторів, будуть розташовані під транзисторами, а не над ними. Таке розташування, відоме як заднє живлення, сприяє виробництву більш ефективних мікросхем.
Одним зі способів оптимізації процесорів є пом'якшення технічної проблеми, відомої як падіння інфрачервоного випромінювання. Це явище знижує напругу електроенергії, яку отримують транзистори чіпа, що сповільнює їхню роботу. TSMC стверджує, що дроти в її 1,6-нанометровому вузлі менш схильні до таких перепадів напруги.
Конкурент Intel також впроваджує заднє живлення у своєму 20А техпроцесі, який також відомий як 5-нанометровий вузол. За словами компанії, впровадження цієї технології не лише оптимізує розподіл електроенергії, але й дозволяє упаковувати схеми мікросхеми ближче одна до одної. В результаті на процесорі можна розмістити більше транзисторів, що підвищує його обчислювальну потужність.
Транзистор складається з чотирьох основних компонентів: витоку, стоку, каналу та затвору. Виток - це точка входу, через яку електрика надходить до транзистора, а витік - це вихід. Канал і затвор, своєю чергою, відповідають за організацію руху електронів.
Провідники живлення в 1,6-нанометровому техпроцесі TSMC підключаються безпосередньо до витоку і стоку. За словами компанії, така архітектура складніша у виробництві, ніж інші реалізації задньої подачі живлення, такі як та, що використовується Intel. TSMC заявляє, що її рішення прийняти більш складний дизайн допоможе підвищити ефективність чіпів клієнтів.
За оцінками компанії, чипи, виготовлені за її 1,6-нанометровим техпроцесом, потребуватимуть на 15-20% менше електроенергії, ніж кремній попереднього покоління. Крім того, клієнти можуть пожертвувати деякою енергоефективністю заради підвищення продуктивності. TSMC заявляє, що 1,6-нанометровий чіп може досягати до 10% вищої тактової частоти, ніж продукт попереднього покоління, використовуючи ту ж кількість енергії.
Щодо NanoFlex, то технологія надає можливість створювати мікросхеми, які поєднують декілька типів транзисторів з різними конфігураціями енергоефективності, швидкості та розміру. Така гнучкість може дозволити замовникам більш точно узгодити мікросхеми, виготовлені TSMC, з вимогами їхніх проєктів.
NanoFlex дебютує з техпроцесом 2 нм, який планується запустити в масове виробництво наступного року. Техпроцес 1,6 нм, своєю чергою, має бути запущений у другій половині 2026 року.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
