|
СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ
Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях
Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.
Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары
|
|
>Оперативная память
Новость
3 мая 2011 г., 17:08
Японская компания заявила о том, что ей принадлежит первенство в выпуске DRAM с использованием технологического процесса с допуском 25 нм.
Новость
27 апреля 2011 г., 14:05
Компания Kingston Technology объявила о выпуске новых высокопроизводительных модулей памяти HyperX серии Plug and Play (PnP), предназначенных для энтузиастов в области современных компьютерных технологий.
Новость
26 апреля 2011 г., 11:45
Учитывая недавние трагические события в Стране восходящего солнца, рыночные эксперты стали весьма пристально обращать внимание на возможность возникновения подобного рода угроз в других, не менее крупных центрах ИТ и, в частности, полупроводникового бизнеса – на Тайване и в Южной Корее.
Новость
22 апреля 2011 г., 16:55
По данным агентства Синьхуа, Институт микросистем и информационных технологий в Шанхае и Китайская академия наук совместно с производителем микроэлектроники SMIC и компанией Microchip Technology разработали память на эффекте фазового изменения состояния (phase-change random access memory, PCRAM) с использованием лишь китайской интеллектуальной соб
Новость
5 апреля 2011 г., 12:55
Hynix Semiconductor объявила о завершении разработки чипа DDR4 DRAM объемом 2 Гб и модуля на 2 ГБ на его основе. Микросхема будет производиться по технологии класса 30 нм (в пределах между 30 и 39 нм).
Новость
4 апреля 2011 г., 17:55
«Техника для бизнеса» сообщила о получении статуса официального дистрибьютора на территории Украины TakeMS, производителя модулей памяти, флэш-накопителей и прочей продукции, с главным офисом в Германии.
Новость
22 марта 2011 г., 14:45
По мнению экспертов IHS iSuppli, в 2011 г. средний объем памяти DRAM в медиа-планшетах увеличится относительно 2010 г. на 147%, достигнув 676 Мб.
Новость
16 марта 2011 г., 18:50
Группа инженеров из Университета Иллинойса (University of Illinois) усовершенствовали технологию изменения фазового состояния, применяемую при изготовлении памяти типа PRAM (phase change RAM - память с изменением фазового состояния).
Новость
15 марта 2011 г., 13:55
Проанализировав развитие мирового рынка мобильных средств связи аналитики DRAMeXchange пришли к выводу, что, совместными усилиями, сегменты смартфонов и медиа-планшетов способны освоить более половины от всей потребленной в текущем году флеш-памяти стандарта NAND.
Новость
24 февраля 2011 г., 15:45
По оценкам IHS iSuppli, устоявшееся падение средних отпускных цен на модули памяти NOR приведет к снижению доходов сегмента по итогам текущего года почти на 6%, до 4,8 млрд долл.
|
|

|