Японская компания заявила о том, что ей принадлежит первенство в выпуске DRAM с использованием технологического процесса с допуском 25 нм.
EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE представляет собой чип DDR3 DRAM емкостью 2 Гбит, площадь которого на 30% меньше, чем у продукта предыдущего поколения на базе технологии 30 нм. При этом, по заявлению Elpida, ток потребления уменьшился на 15% в активном режиме и на 20% в режиме «сна».
Новинка в состоянии обеспечить производительность 1866 Мбит/с при напряжении питания 1,5 В и совместима с режимом работы с напряжением 1,35 В, при котором ее пропускная способность составляет 1600 Мбит/с. Доступны варианты с 4- и 8-разрядной шиной, а допустимая рабочая температура лежит в пределах от 0 до 90°C.
По заявлению Elpida, рабочие образцы а затем и массовое производство ее новых 25-нм чипов DDR3 DRAM объемом 2 Гбит запланированы на июль. А к концу года компания собирается приступить к выпуску микросхем на 4 Гбит. Этот же техпроцесс будет использован и в линейке продуктов производителя Mobile RAM.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
