`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung рассказала о разработке 3-нанометровой технологии MBCFET

+11
голос

Samsung рассказала о разработке 3-нанометровой технологии MBCFET

Компания Samsung на своём недавнем мероприятии Foundry Forum в Санта Клара (штат Калифорния) рассказала о своих последних достижениях в разработке производственного процесса Gate-All-Around (GAA) с уровнем детализации 3 нм.

Она представала свою запатентованную версию GAA под названием MBCFET (Multi Bridge Channel Field-Effect Transistor). Как объясняется в официальном пресс-релизе, обычный GAA на основе нанопроводов требует большего количества слоёв из-за малой эффективной ширины канала. MBCFET вместо этого использует архитектуру нанолистов, проще интегрируемую в кристалл и обеспечивающую более высокий ток.

Основой для MBCFET послужила технология GAAFET, которую Samsung создавала в сотрудничестве в IBM с целью уменьшения электростатических эффектов, превращающихся в серьёзную проблему с дальнейшей миниатюризацией чипов.

Как и в GAA, в MBCFET материал затвора окружает канал со всех сторон. По информации Samsung, это должно улучшать коммутационное соотношение (on-off) транзисторов и позволить снизить рабочее напряжение процессора до 0,75 В.

Важным качеством нового процесса является его полная совместимость с FinFET, поэтому внедрение MBCFET не потребует модернизации оборудования. Тем не менее, Джоэл Грушка (Joel Hruska) из ExtremeTech считает, что анонс на Samsung Foundry Forum альфа-версии (0.1) инструментария Product Design Kit для 3-нанометровых чипов ещё не даёт гарантии, что эта технология будет внедрена в производство в ближайшем будущем.

«В следующие годы Samsung рассчитывает запустить множество процессов, она запланировала разработку технологий с детализацией 7 нм, 6 нм, 5 нм, 4 нм и, да, 3 нм, — заявил он. — По сравнению с 7 нм 3-нанометровый процесс весьма неплох, но выпуска таких чипов придется подождать».


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT