Samsung рассказала о разработке 3-нанометровой технологии MBCFET

20 май, 2019 - 16:20

Samsung рассказала о разработке 3-нанометровой технологии MBCFET

Компания Samsung на своём недавнем мероприятии Foundry Forum в Санта Клара (штат Калифорния) рассказала о своих последних достижениях в разработке производственного процесса Gate-All-Around (GAA) с уровнем детализации 3 нм.

Она представала свою запатентованную версию GAA под названием MBCFET (Multi Bridge Channel Field-Effect Transistor). Как объясняется в официальном пресс-релизе, обычный GAA на основе нанопроводов требует большего количества слоёв из-за малой эффективной ширины канала. MBCFET вместо этого использует архитектуру нанолистов, проще интегрируемую в кристалл и обеспечивающую более высокий ток.

Основой для MBCFET послужила технология GAAFET, которую Samsung создавала в сотрудничестве в IBM с целью уменьшения электростатических эффектов, превращающихся в серьёзную проблему с дальнейшей миниатюризацией чипов.

Как и в GAA, в MBCFET материал затвора окружает канал со всех сторон. По информации Samsung, это должно улучшать коммутационное соотношение (on-off) транзисторов и позволить снизить рабочее напряжение процессора до 0,75 В.

Важным качеством нового процесса является его полная совместимость с FinFET, поэтому внедрение MBCFET не потребует модернизации оборудования. Тем не менее, Джоэл Грушка (Joel Hruska) из ExtremeTech считает, что анонс на Samsung Foundry Forum альфа-версии (0.1) инструментария Product Design Kit для 3-нанометровых чипов ещё не даёт гарантии, что эта технология будет внедрена в производство в ближайшем будущем.

«В следующие годы Samsung рассчитывает запустить множество процессов, она запланировала разработку технологий с детализацией 7 нм, 6 нм, 5 нм, 4 нм и, да, 3 нм, — заявил он. — По сравнению с 7 нм 3-нанометровый процесс весьма неплох, но выпуска таких чипов придется подождать».