|
СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ
Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях
Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.
Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары
|
|
>Технологии
Новость
17 декабря 2007 г., 20:04
Компании Intel и LSI Corporation объявили о расширении соглашения SAS/SATA RAID, что будет способствовать распространению решений LSI RAID-On-Chip (ROC) и MegaRAID в мировой сети каналов сбыта.
Новость
17 декабря 2007 г., 17:59
В то время как перспективы рынка электронных книг продолжают оставаться неопределенными, разработанные для них технологии находят применение в смежных областях. Фирма Art Tech из Гонконга в скором времени готовится выпустить наручные часы, в которых используется технология электронной бумаги от корпорации E Ink.
Новость
17 декабря 2007 г., 14:57
Компания Hitachi Data Systems, находящаяся в полной собственности компании Hitachi, Ltd.
Новость
14 декабря 2007 г., 19:25
Компании NEC и NEC Electronics создали технологию разработки оптимальной структуры каналов в КМОП-транзисторах для техпроцесса с уровнем детализации 32 нм и далее. Она основана на визуализации распределения примесей в транзисторах с использованием электроннолучевой голографии с наилучшим в мире пространственным разрешением.
Новость
14 декабря 2007 г., 16:22
Организация 1394 Trade Association объявила о выпуске новых спецификаций, которые позволяет вчетверо увеличить пропускную способность интерфейса FireWire.
Новость
13 декабря 2007 г., 10:20
Компания "Ситроникс" сообщила об открытии технологической линии по изготовлению микросхем с уровнем детализации 0,18 мкм. Строительство нового производства началось в июле 2006 г., после подписания соглашения о сотрудничестве с компанией STMicroelectronics.
Новость
12 декабря 2007 г., 17:10
Компания Micron Technology анонсировала начало выпуска образцов чипа памяти 1 Gb DDR2 по технологическому процессу с уровнем детализации 68 нм.
Новость
11 декабря 2007 г., 14:42
Компания IBM и ее партнеры -- AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon, и Samsung – анонсировали технологию "high-k/gate-first", способную ускорить и удешевить производство 32-нм чипов с транзисторами, затворы которых производятся из изолятора с высокой диэлектрической постоянной и металла (high-k/metal gate).
Новость
11 декабря 2007 г., 11:40
Известный поставщик полупроводниковых решений и производитель чипов для приложений беспроводной связи компания STMicroelectronics объявил о выпуске прототипа устройства, произведенного по 45-нанометровой технологии CMOS Radio Frequency (RF).
Новость
30 ноября 2007 г., 16:44
К октябрю 2008 г. корпорация Sharp расширит производственные мощности для выпуска тонкопленочных солнечных батарей на фабрике Katsuragi с 15 МВт до 160 МВт. Инвестиции в расширение производства составят около 22 млрд иен.
|
|

|