| +22 голоса |
|
Компания IBM и ее партнеры -- AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon, и Samsung – анонсировали технологию "high-k/gate-first", способную ускорить и удешевить производство 32-нм чипов с транзисторами, затворы которых производятся из изолятора с высокой диэлектрической постоянной и металла (high-k/metal gate). Новая технология предусматривает изготовление в первую очередь наиболее сложных элементов схемы, что существенно упростит миграцию с 45-нм на 32-нм технологический процесс.
В сотрудничестве с партнерами IBM представила работающий прототип 32-нм чипа памяти SRAM с размером ячейки менее 0,15 кв мкм. По заявлению производителей, ипользование high-k материалов позволило почти вдвое уменьшить площадь чипа, снизить энергопотребление на 45% и повысить производительность на 30% по сравнению с аналогами, произведенными по 45-нм техпроцессу.
Кроме того, компании предложили концепцию внедрения технологии high-k/metal gate для 32-нанометровых чипов, произведенных по технологии кремний-на-диэлектрике (SOI). По оценкам разработчиков, производительность таких микросхем на 30% выше, чем у их 45-нм аналогов .
Начало промышленного производства 32-нм чипов запланировано на вторую половину 2009 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
