| 0 |
|
Компания SK Hynix сообщила о начале поставок тестовых образцов новых чипов памяти, изготовленных по технологии 4D NAND Triple-Level Cell (TLC) и выполненных со 176 слоями.
Отмечается, что это уже третье поколение ее разработки, и производители контролеров получили первые 176-слойные чипы емкостью 512 Гб. Напомним, что в первом поколении, выпущенном в 2018 году, было 96 слоев.
Особенностью компоновки 4D NAND является то, что под слоем ячеек памяти располагается слой периферийных цепей по технологии Peri. Under Cell (PUC).
По мере увеличения количества слоев во флэш-памяти NAND происходит уменьшение тока ячейки, скручивание отверстий в канале и ухудшение распределения ячеек из-за двойного несовпадения стопки. Компания SK hynix преодолела эти проблемы, внедрив инновационные технологии, такие как уменьшение высоты межслоевых ячеек, управление переменной синхронизацией слоев и сверхточное выравнивание, что и позволило создать 176-слойную флэш-память NAND.
По заверениям производителя, представленные 176-слойные чипы имеют самую высокую плотность в индустрии и позволяют достичь прироста продуктивности на 35%. Кроме того, скорость чтения ячеек удалось увеличить на 20%, а скорость передачи данных - на 33%, до 1,6 Гбит/с.
Сообщается, что компания готовит 176-слойные чипы емкостью 1 Тб. А поставки коммерческих продуктов на базе новых чипов 4D NAND 512 Гб начнутся уже летом 2021 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
