`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung начала выпуск встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти

+33
голоса
Samsung начала выпуск встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти

Samsung Electronics объявила о начале массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator — полностью обедненный кремний на изоляторе), получившего название 28FDS.

Как отмечается, технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость.

Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Поскольку модуль eMRAM можно интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек.

В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1 ГБ.

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT