Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов памяти DDR3 по технологии 20 нм. Представлены первые микросхемы памяти емкостью 4 ГБ, выпущенные с такой детализацией и с использованием ArF-литографии.
Отмечается, что перевод производства DRAM на новую технологию является более сложным, чем в случае флеш-памяти NAND. Последняя требует размещения в каждой ячейке только транзистора, тогда, как DRAM – транзистор плюс конденсатор.
Помимо использования меньшей детализации (20 нм) корейский производитель задействовал в новый чипах памяти и двухслойную технологию. Как следствие энергоэффективность микросхем DDR3, произведенных по технологии 20 нм почти на четверть выше, чем при 25 нм, а сам процесс выпуска на 30% продуктивнее.
Согласно недавним исследованиям Gartner, глобальный рынок DRAM в прошлом году достиг отметки в 35,6 млрд. долл., а в 2014 г. вырастет до 37,9 млрд. долл.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
