Samsung Electronics объявила о выпуске первой в индустрии флэш-памяти NAND с 3 битами на ячейку (3bit), с уровнем детализации класса 20 нм. Высокоплотный чип емкостью 64 Гб может быть использован в таких решениях как накопители USB-флэш и карточки SD.
По сравнению с предшествующим поколением – 32-гигабитовой микросхемой (3bit) класса 30 нм, вышедшей год назад, новое устройство предлагает не только удвоенную емкость, но и лучшее быстродействие благодаря поддержке спецификации Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0. Кроме того оно отличается возросшей на 60% эффективностью производства.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
