| 0 |
|
Компанія Samsung Electronics оголосила про розробку першого в галузі рішення Universal Flash Storage (UFS) 5.0. Надвисока швидкість нового накопичувача покликана забезпечити плавну та ефективну роботу складних AI-сервісів безпосередньо на майбутніх мобільних пристроях.
Зазначено, цей крок встановлює новий орієнтир для ринку мобільної пам'яті наступного покоління. Очікується, що підвищена продуктивність суттєво знизить затримки та прискорить час відгуку при запуску великих мовних моделей (LLM) у локальних середовищах штучного інтелекту (on-device AI).
«В епоху локального AI пристрої зберігання даних перетворюються на ключовий фактор, що визначає якість роботи з нейромережами, - заявив Чансок Чхве (Jangseok Choi), керівник відділу планування продуктів пам'яті в Samsung Electronics. - Успішно завершивши розробку першого в індустрії рішення UFS 5.0, Samsung встановлює новий стандарт для портативних накопичувачів і продовжуватиме впроваджувати інновації для ринку мобільних платформ наступного покоління».
Генеративний штучний інтелект стрімко мігрує із хмари на кінцеві пристрої, що викликає різке зростання обсягів даних, необхідних для локальної обробки. Як наслідок, флешпам'ять перетворюється з простого сховища файлів на базову інфраструктуру, яка безпосередньо підтримує обчислювальні процеси AI.
Samsung UFS 5.0 інтегрує найновіший стандарт інтерфейсу вбудованої пам'яті від комітету JEDEC, досягаючи безпрецедентного рівня продуктивності з найвищою в галузі пропускною здатністю - до 10,8 ГБ/с.
Нове сховище забезпечує швидкість послідовного читання до 10,8 ГБ/с та послідовного запису до 9,5 ГБ/с. Ці показники більш ніж удвічі перевищують можливості попереднього стандарту UFS 4.1. Такий стрибок дозволяє миттєво зчитувати та обробляти гігантські масиви даних, необхідні для мобільних AI-додатків.
Попри колосальне зростання швидкості, енергоефективність Samsung UFS 5.0 покращилася більш ніж на 40% порівняно з рішеннями компанії класу UFS 4.1. Це стало можливим завдяки впровадженню низки технологічних інновацій, включаючи стробування тактових сигналів (clock gating) та технології багаторівневої напруги (multi-voltage).
Ці вдосконалення значно знижують кількість енергії, необхідної для передачі того самого обсягу даних, що суттєво зменшує загальне споживання заряду та продовжує час автономної роботи гаджетів.
Інженерам Samsung вдалося помістити рішення UFS 5.0 в ультракомпактний корпус із габаритами 7,5x13x0,9 мм, що на 16,7% менше за площу попередника. Такий формфактор суттєво підвищує гнучкість проєктування та оптимізує внутрішній простір для широкого спектра гаджетів - від смартфонів до смартгодинників та гарнітур розширеної реальності (XR).
Samsung розпочне масове виробництво чіпів UFS 5.0 у четвертому кварталі цього року. Пам'ять буде доступна в різних варіантах місткості, аж до 1 ТБ. Компанія планує оперативно нарощувати обсяги постачань, щоб задовольнити потреби виробників флагманських смартфонів, XR-гарнітур та AI-аксесуарів, що носяться.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
