Samsung начала производить 20-нанометровую флэш-память 3bit NAND 64 ГБ

Samsung Electronics объявила о выпуске первой в индустрии флэш-памяти NAND с 3 битами на ячейку (3bit), с уровнем детализации класса 20 нм. Высокоплотный чип емкостью 64 Гб может быть использован в таких решениях как накопители USB-флэш и карточки SD.

По сравнению с предшествующим поколением – 32-гигабитовой микросхемой (3bit) класса 30 нм, вышедшей год назад, новое устройство предлагает не только удвоенную емкость, но и лучшее быстродействие благодаря поддержке спецификации Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0. Кроме того оно отличается возросшей на 60% эффективностью производства.