| +11 голос |
|
Команда из Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (LAAS-CNRS, Тулуза) и Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN, CNRS / Университет г. Лилль) построили наномасштабный транзистор, который демонстрирует исключительные свойства для устройства таких размеров.
Исследователи разработали инновационную трехмерную архитектуру, содержащую массив вертикальных нанопроволок, проводимость которых управляется затвором длиной всего 14 нм. Это изобретение открывает дорогу альтернативную планарным структурам, которые используются в микропроцессорах и чипах памяти. Использование 3D-транзисторов могло бы значительно увеличить возможности микроэлектронных устройств.
Команда исследователей из LAAS и IEMN построили первый истинно трехмерный наномасштабный транзистор. Устройство содержит компактный массив вертикальных нанопроволок длиной около 200 нм, связывающий две проводящие поверхности. Хромовый затвор полностью окружает каждую нанопроволоку и управляет током, обеспечивая оптимальное управление транзистором такого размера. Длина затвора всего 14 нм (против 28 нм в традиционных транзисторах), однако его способность управлять током в каналах транзистора удовлетворяет требованиям современной микроэлектроники.
Такая архитектура может привести к разработке микропроцессоров, в которых транзисторы образуют стек. Количество транзисторов в заданном объеме может быть таким образом значительно увеличено.
Более детально об этом исследовании вы можете прочитать в блоге Леонида Бараша.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
